瑞能半导体近日推出具有新型封装DFN 8X8（8mm X 8mm X 0.85mm）的650V SiC Diode系列产品。该封装系列涵盖了650V, 4A/6A/8A/10A四款新产品。
与D2PAK封装相比，DFN 8X8封装面积和体积分别减小了42%和88%。并具有无引脚设计，降低寄生电感，减小热阻，提高功率密度的优势。
除了新型封装DFN8X8带来的优势外，该碳化硅芯片继承了瑞能半导体以往碳化硅产品的优势。
采用Merged PiN Schottky （MPS）结构。瑞能MPS结构在大电流下具备显著的少数载流子注入效应，使得产品可以承受几十倍的浪涌冲击电流，具有极强的耐受性。
采用业界领先的Thin Wafer工艺。瑞能碳化硅芯片比市场上其他同类产品更薄，具有更优秀的散热性能。
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